本系统采用氙气闪光灯毫秒脉冲光热处理技术，实现表层瞬间高温、衬底低温，极低热预算，整片晶圆一次性曝光退火，兼顾研发与中试小批量生产，可完成掺杂激活、薄膜晶化、损伤修复、烧结等工艺。
一、产品特点
毫秒级超快脉冲热处理：0.1‑50ms 闪光脉冲，薄膜表层瞬间升至高温，晶圆衬底保持较低温度，极大抑制杂质扩散，实现超浅结工艺需求。
整片同步曝光：一次性完成整片基板处理，对比激光扫描退火，处理吞吐效率高，无扫描拼接痕迹。
可配置基板预加热：基板支持预加热，拓宽工艺窗口，提升退火均匀性，降低热应力。
多气氛兼容工艺腔室：支持真空、氮气、惰性气体、大气环境，适配半导体、新材料不同工艺需求。
高精度能量与脉冲控制：脉冲宽度、能量密度、脉冲次数、脉冲间隔软件可调；搭载非接触红外测温，实时监控基板温度曲线。
友好的热敏衬底适配：仅表层薄膜受热，可处理玻璃、柔性、异质键合薄膜等不耐高温基板，避免基板翘曲、变形。
工艺配方管理：可视化人机交互界面，可存储、调用多套工艺 ，自动记录温度、能量、时间等工艺数据，支持数据导出。
安全防护设计：水冷光源腔室、光防护、压力、温度、气体安全互锁，保障设备长期稳定运行。
二、应用领域
半导体芯片
先进逻辑器件：离子注入掺杂激活、超浅 PN 结制备、源漏区退火、硅化物形成、晶格损伤修复。
存储器件：MRAM 磁隧道结退火、相变材料处理。
宽禁带半导体：SiC/GaN 欧姆接触退火、薄膜缺陷修复。
Ge、GeSn 等新型半导体薄膜晶化与掺杂激活。
光电子与薄膜器件
TFT 薄膜晶体管、非晶硅 / 多晶硅薄膜晶化。
铌酸锂、钽酸锂薄膜退火、离子切片后晶格修复。
压电薄膜、铁电薄膜后处理。
新材料与先进制造
金属纳米浆料、导电薄膜脉冲光烧结。
柔性电子、透明导电薄膜处理。
高校科研院所新材料工艺开发、样品快速实验。
三、关键技术参数
